voltage reference diode - translation to russian
Diclib.com
ChatGPT AI Dictionary
Enter a word or phrase in any language 👆
Language:     

Translation and analysis of words by ChatGPT artificial intelligence

On this page you can get a detailed analysis of a word or phrase, produced by the best artificial intelligence technology to date:

  • how the word is used
  • frequency of use
  • it is used more often in oral or written speech
  • word translation options
  • usage examples (several phrases with translation)
  • etymology

voltage reference diode - translation to russian

ELECTRONIC COMPONENT , POWER DIODE
Transil; Transils; Transient suppressor; Transorb; Tranzorb; Transient voltage suppressor diode; Tvs diode; Tranzil; TVS-diode; Transient voltage suppression diode; Thyrector
  • Combined TVS and rail-to-rail diode (unidirectional)
  • TVS diode as array
  • 60px

voltage reference diode      
полупроводниковый стабилитрон
Schottky barrier diode         
  • 1N5819]])<ref name=SS14/>
  • 1N5822 Schottky diode with cut-open packaging. The semiconductor in the center makes a [[Schottky barrier]] against one metal electrode (providing rectifying action) and an [[ohmic contact]] with the other electrode.
  • 110px
DIODE WITH A LOW FORWARD VOLTAGE DROP, FORMED BY A SEMICONDUCTOR–METAL JUNCTION
Schottky barrier diode; Schottky Barrier Diode; Silicon carbide diode; Schotky doide; Shottky diode

общая лексика

диод с барьером Шоттки

tunnel diode         
  • 8–12&nbsp;GHz tunnel diode amplifier, circa 1970
  • V}} curve of 10&nbsp;mA germanium tunnel diode, taken on a Tektronix model&nbsp;571 [[curve tracer]].
  • 100px
  • 10&nbsp;mA germanium tunnel diode mounted in test fixture of Tektronix&nbsp;571 [[curve tracer]]
  • V}}<sub>2</sub>.
TYPE OF SEMICONDUCTOR DIODE
Esaki diode; Tunneling diode

[tʌnl'daiəud]

общая лексика

тоннельный диод

электроника

туннельный диод

Definition

Светоизлучающий диод

светодиод, полупроводниковый прибор (См. Полупроводниковые приборы), преобразующий электрическую энергию в энергию оптического излучения на основе явления инжекционной электролюминесценции (См. Электролюминесценция) (в полупроводниковом кристалле с электронно-дырочным переходом (См. Электронно-дырочный переход), полупроводниковым гетеропереходом (См. Полупроводниковый гетеропереход) либо контактом металл - полупроводник). В С. д. при протекании в нём постоянного или переменного тока в область полупроводника, прилегающую к такому переходу (контакту), инжектируются избыточные носители тока - электроны и дырки; их Рекомбинация сопровождается оптическим излучением. С. д. испускают некогерентное излучение, но, в отличие от тепловых источников света, - с более узким спектром, вследствие чего излучение в видимой области воспринимается как одноцветное. Цвет излучения зависит от полупроводникового материала и его легирования. Применяются соединения типа AIII BV и некоторые другие (например, GaP, GaAs, SiC), а также твёрдые растворы (например, GaAs1-xPx, AlxGa1-xAs, Ga1-xlnxP). В качестве легирующих примесей используются: в GaP-Zn и О (красные С. д.) либо N (зелёные С. д.), в GaAs-Si либо Zn и Te (инфракрасные С. д.). Полупроводниковому кристаллу С. д. обычно придают форму пластинки или полусферы.

Яркость излучения большинства С. д. находится на уровне 103 кд/м2, у лучших образцов С. д. - до 105 кд/м2. Кпд С. д. видимого излучения составляет от 0,01\% до нескольких процентов. В С. д. инфракрасного излучения с целью снижения потерь на полное внутреннее отражение и поглощение в теле кристалла для последнего выбирают полусферическую форму, а для улучшения характеристик направленности излучения С. д. помещают в параболический или конический отражатель. Кпд С. д. с полусферической формой кристалла достигает 40\%.

Промышленность выпускает С. д. в дискретном и интегральном исполнении. Дискретные С. д. видимого излучения используют в качестве сигнальных индикаторов; интегральные (многоэлементные) приборы - светоизлучающие цифро-знаковые индикаторы, профильные шкалы, многоцветные панели и плоские экраны - применяют в различных системах отображения информации (см. Отображения информации устройство), в электронных часах (См. Электронные часы) и калькуляторах. С. д. инфракрасного излучения находят применение в устройствах оптической локации (См. Оптическая локация), оптической связи (См. Оптическая связь), в Дальномерах и т. д. (см. также Оптоэлектроника), матрицы таких С. д. - в устройствах ввода и вывода информации ЭВМ. В ряде областей применения С. д. конкурирует с родственным ему прибором - инжекционным лазером (см. Полупроводниковый лазер), который генерирует когерентное излучение и отличается от С. д. формой кристалла и режимом работы.

Лит.: Берг А., Дин П., Светодиоды, пер. с англ., "Тр. института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике", 1972, т. 60, № 2.

П. Г. Елисеев.

Wikipedia

Transient-voltage-suppression diode

A transient-voltage-suppression (TVS) diode, also transil or thyrector, is an electronic component used to protect electronics from voltage spikes induced on connected wires.

What is the Russian for voltage reference diode? Translation of &#39voltage reference diode&#39 to R